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    超高真空磁控濺射系統

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    超高真空磁控濺射系統 超高真空磁控濺射系統

    超高真空磁控濺射系統

    超高真空磁控濺射系統(UHV SPUTTER)
    儀器介紹:
    美國專業的制造商PVD公司是一家在磁控濺射沉積,電子束蒸發沉積,脈沖激光沉積等領域有著20年制造經驗。
    我司代理的PVD公司生產的磁控濺射系統可以實現在最大300mm襯底上沉積金屬和電介質薄膜。使用RF、DC或脈沖DC電源的磁控濺射源可以單個模式或者聯合-沉積模式工作,以便生產可以對滿足廣泛的薄膜要求。我司生產的鈦磁控濺射源的尺寸可從1 inch(25mmm)到8inch(200mm)任選 ,并搭配內置傾斜裝置以滿足按照沉積工藝進行的微調。襯底支架符合最大300mm直徑的晶片需求,并可對晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。磁控濺射系統可按客戶需求增減其他窗口用于諸如殘余氣體分析(RGA)、反射高能電子衍射(RHEED)或橢偏儀(ellipsometry)。


    技術參數:
    Vacuum Chamber: 304不銹鋼圓柱形腔體,滿足不同客戶的定制需求。
    Pumping: 分子泵或冷凝泵,機械泵真空系統
    Load Lock: 手動傳片或自動傳片,適合各種形狀尺寸的小片到300mm大的圓片,高真空背景傳遞
    Process Control: PC / PLC自動控制界面,菜單控制,數據獲取和遠程控制
    In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚監控,光學膜厚監控,RGA殘余氣體分析
    Substrate Fixture: 單片,多片,星狀襯底夾具
    Substrate Holders: 可加熱,冷卻,偏壓,旋轉
    Ion Source: 襯底預清洗,納米表面改性
    Deposition Techniques
    Magnetron Sputtering  RF, DC, or Pulsed-DC;具有射頻濺射,直流濺射,脈沖直流濺射。
    Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition   傾斜角度濺射。
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